米Micron Technologyと台湾Nanya Technologyは米国時間の8日、Cu(銅)配線ベースの42nmプロセス技術による、2GビットのDDR3メモリデバイスを共同開発したと発表した。プロセスの微細化で、低消費電力、高性能、高密度およびダイの小型化などのメリットを実現する。2010年第2四半期にサンプル出荷を開始し、量産は2010年下半期を見込む。

この42nmの2GビットDDR3メモリデバイスでは、従来世代の電圧条件1.5Vに対し、1.35Vを標準電圧にしており、最大30%の消費電力の削減が可能となる。ほかプロセス微細化により、転送速度は最大で1,866Mbps、容量はモジュールあたり最大で16GBの大容量を実現している。

なお、両社では引き続き、今回のCu配線技術をベースに、次世代の30nm台のプロセス技術に向けた開発を行なっていくとしている。